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CATEGORY 成膜装置

半導体積層薄膜形成装置

半導体積層薄膜形成装置
半導体積層薄膜形成装置
半導体積層薄膜形成装置
半導体積層薄膜形成装置
  • 取引先

    エア・ウォーター株式会社様

  • 納入先

    国立研究開発法人 産業技術総合研究所様

  • 仕様

    ・成膜室2チャンバー
    ・ロードロック室
    ・CVD装置
    ・成膜チャンバー到達真空度5.0×10E-8Pa
    ・プロセスガス導入
    ・1000℃加熱

    ・基板4インチ~8インチ対応

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